旋转翻转技巧还指向最快的RAM

时间:2017-05-01 02:53:24166网络整理admin

作者:Kate McAlpine你希望你的电脑更快吗来自德国的工程师和物理学家已经展示了最快的原型,而硬件制造商提出的先进形式的RAM将成为计算的未来该设备速度非常快,可以防止该过程的基本速度限制磁阻随机存取存储器(MRAM)是当今计算机中使用的更快,更节能的RAM版本,硬件公司认为它将在几年内占据市场主导地位它的速度和低功耗将特别推动移动计算传统的RAM存储数字1或0作为电容器中的电荷电平,而MRAM通过改变微小磁体磁场的南北方向来存储它每个可变磁铁紧挨着一个固定磁场读取存储值涉及通过该对运行电流以发现可变磁体场的方向 IBM和大多数其他制造商正在押注的MRAM使用电子旋转来翻转磁场,称为自旋扭矩MRAM现在德国的研究人员已经建立了一个比任何其他系统都快得多的自旋扭矩系统德国物理技术联邦实验室的Santiago Serrano-Guisan和Hans Schumacher与比勒费尔德大学和Singulus Nano-Deposition Technologies研究人员合作,用165纳米高的小支柱构建它每个支柱的顶端用作存储数据的可变磁铁,而底端是固定磁铁从底部到顶部穿过柱子的电流具有由永磁体区域排列的电子自旋当那些电子到达支柱的另一端时,它们会翻转可变磁铁区域的磁场以匹配可以通过反转电流来翻转磁场通常在翻转场时,需要一些时间才能适应新的方向在安装到位之前,南北轴在空中画了几圈但理论工作表明,在找到新的位置之前,它只需绘制一个圆圈,从而使流程更快德国队实现了这一目标,开发了一种在翻转期间和之后观察和控制场地摆动的方法通过调节翻转场的电脉冲的持续时间和强度,仅允许发生单个“摆动”,与理论极限相匹配结果是设备比以前快了许多倍 “目前的MRAM通过持续约10纳秒的脉冲进行编程,”Serrano-Guisan说 “因此,我们的速度提高了十倍”对于同等操作,最好的传统RAM需要大约30纳秒纽约康奈尔大学(Cornell University)纳米磁学专家罗伯特·布尔曼(Robert Buhrman)给人留下了深刻的印象,但他指出尚未制造出完整的MRAM器件德国设备使用的电流目前太电密,不能由MRAM电路中使用的晶体管提供 “接下来需要做的是将开关电流降低到与[标准] CMOS(互补金属氧化物半导体)晶体管兼容的规模,